內(nèi)存種類(lèi)知多少？一五一十告訴你吧！

　　一、RAM(Random Access Memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

　　RAM的特點(diǎn)是：電腦開(kāi)機(jī)時(shí)，操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的所有正在運(yùn)行的數(shù)據(jù)和程序都會(huì)放置其中，并且隨時(shí)可以對(duì)存放在里面的數(shù)據(jù)進(jìn)行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會(huì)自動(dòng)清空掉，并且再也無(wú)法恢復(fù)。

　　根據(jù)組成元件的不同，RAM內(nèi)存又分為以下十八種：

　　01.DRAM（Dynamic RAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）：

　　這是最普通的RAM，一個(gè)電子管與一個(gè)電容器組成一個(gè)位存儲(chǔ)單元，DRAM將每個(gè)內(nèi)存位作為一個(gè)電荷保存在位存儲(chǔ)單元中，用電容的充放電來(lái)做儲(chǔ)存動(dòng)作，但因電容本身有漏電問(wèn)題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失。存取時(shí)間和放電時(shí)間一致，約為2~4ms。因?yàn)槌杀颈容^便宜，通常都用作計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器。

　　02.SRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　靜態(tài)，指的是內(nèi)存里面的數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)駐其中而不需要隨時(shí)進(jìn)行存取。每6顆電子管組成一個(gè)位存儲(chǔ)單元，因?yàn)闆](méi)有電容器，因此無(wú)須不斷充電即可正常運(yùn)作，因此它可以比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來(lái)做高速緩存。

　　03.VRAM（Video RAM，視頻內(nèi)存）

　　它的主要功能是將顯卡的視頻數(shù)據(jù)輸出到數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負(fù)擔(dān)。它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計(jì)，其中一個(gè)數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個(gè)是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。多用于高級(jí)顯卡中的高檔內(nèi)存。

　　04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁(yè)切換模式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　改良版的DRAM，大多數(shù)為72Pin或30Pin的模塊。傳統(tǒng)的DRAM在存取一個(gè)BIT的數(shù)據(jù)時(shí)，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。而FRM DRAM在觸發(fā)了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁(yè)數(shù)Pages，從512B到數(shù)KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時(shí)，就可以通過(guò)快速頁(yè)切換模式來(lái)直接讀取各page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時(shí)代和PENTIUM時(shí)代的初期，F(xiàn)PM DRAM被大量使用。

　　05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　這是繼FPM之后出現(xiàn)的一種存儲(chǔ)器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間，然后才能讀寫(xiě)有效的數(shù)據(jù)，而下一個(gè)BIT的地址必須等待這次讀寫(xiě)操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時(shí)間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應(yīng)用于中檔以下的Pentium主板標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，后期的486系統(tǒng)開(kāi)始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開(kāi)始執(zhí)行。。

　　06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個(gè)地址計(jì)數(shù)器來(lái)追蹤下一個(gè)地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當(dāng)一個(gè)數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個(gè)數(shù)據(jù)每一個(gè)都只需要一個(gè)周期就能讀取，因此一次可以存取多組數(shù)據(jù)，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內(nèi)存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

　　07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　MoSys公司提出的一種內(nèi)存規(guī)格，其內(nèi)部分成數(shù)個(gè)類(lèi)別不同的小儲(chǔ)存庫(kù) (BANK)，也即由數(shù)個(gè)屬立的小單位矩陣所構(gòu)成，每個(gè)儲(chǔ)存庫(kù)之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數(shù)主機(jī)板用于L2高速緩存中。

　　08.WRAM（Window RAM，窗口隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　韓國(guó)Samsung公司開(kāi)發(fā)的內(nèi)存模式，是VRAM內(nèi)存的改良版，不同之處是它的控制線(xiàn)路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式,因此速度相對(duì)較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（BitBlt），可應(yīng)用于專(zhuān)業(yè)繪圖工作上。

　　09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　Rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達(dá)到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當(dāng)大的改變，因此它們一般應(yīng)用于專(zhuān)業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機(jī)的視頻內(nèi)存中。

　　10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　這是一種與CPU實(shí)現(xiàn)外頻Clock同步的內(nèi)存模式，一般都采用168Pin的內(nèi)存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內(nèi)存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，因此可提升計(jì)算機(jī)的性能和效率。

　　11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　SDRAM的改良版，它以區(qū)塊Block，即每32bit為基本存取單位，個(gè)別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫(xiě)的次數(shù)，另外還針對(duì)繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高于SDRAM。

　　12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　一般的SRAM是非同步的，為了適應(yīng)CPU越來(lái)越快的速度，需要使它的工作時(shí)脈變得與系統(tǒng)同步，這就是SB SRAM產(chǎn)生的原因。

　　13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線(xiàn)爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　CPU外頻速度的迅猛提升對(duì)與其相搭配的內(nèi)存提出了更高的要求，管線(xiàn)爆發(fā)式SRAM取代同步爆發(fā)式SRAM成為必然的選擇，因?yàn)樗�可以有效地延長(zhǎng)存取時(shí)脈，從而有效提高訪(fǎng)問(wèn)速度。

　　14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　作為SDRAM的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點(diǎn)：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延時(shí)鎖定回路）提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)。這是目前內(nèi)存市場(chǎng)上的主流模式。

　　15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環(huán)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）

　　這是三菱電氣公司首先研制的專(zhuān)利技術(shù)，它是在DRAM芯片的外部插針和內(nèi)部DRAM之間插入一個(gè)SRAM作為二級(jí)CACHE使用。當(dāng)前，幾乎所有的CPU都裝有一級(jí)CACHE來(lái)提高效率，隨著CPU時(shí)鐘頻率的成倍提高，CACHE不被選中對(duì)系統(tǒng)性能產(chǎn)生的影響將會(huì)越來(lái)越大，而CACHE DRAM所提供的二級(jí)CACHE正好用以補(bǔ)充CPU一級(jí)CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。

　　17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

　　DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來(lái)新標(biāo)準(zhǔn)。DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。

　　18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)

　　是下一代的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一，由Rambus 公司所設(shè)計(jì)發(fā)展出來(lái)，是將所有的接腳都連結(jié)到一個(gè)共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。

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